泰山研究所正式开始研发。
当然这不是从无到有的晶体管技术研发，研究人员们从方文那里知道，这种神秘的科技知识，本身就已经成熟，大家需要做的是将整套技术吃透，由知识层面转化成现实应用。
因此，他们不需要经过理论构建，大量基础实验。
甚至跳过了使用锗作为半导体材料，直接用上了多晶硅。
而方文给他们的多晶硅制备工艺，并不复杂。
是早期多晶硅制造厂使用的冶金法。
以较高纯度的硅为原料，采用湿法冶金、真空熔炼、氧化精炼、定向凝固等技术组合而制备多晶硅。
其工艺流程简单，分为五步。
一，原料准备：准备制备好的硅作为原料。
二，湿法酸洗：采用氢氟酸、王水等化学试剂对硅材料进行清洗，去除表面杂质。
三，氧化造渣：通过氧化反应将硅中的杂质转化为渣滓。
四，真空熔炼：在真空条件下对硅进行熔炼，进一步去除杂质。
五，定向凝固：利用定向凝固技术使硅中的杂质在凝固过程中被分离出来，得到高纯度的多晶硅。
这是方文知道的，能耗最小，也没有多大污染，并且最容易实现的工艺。
实验室中的制备，很快就通过了验证，研究团队成功的制备出第一份多晶硅材料。
接下，就是将多晶硅材料制作成晶圆。
即将制备出的多晶硅棒锯切成薄片。
然后放入化学液体中浸泡清洗表面有机和无机杂质。
清洗后的晶圆表面光洁，就可以进行后续的工艺。
在没有光刻机的时代，半导体零件的制作相对原始。
先是用在氧化工艺，在晶圆表明形成一层二氧化硅。二氧化硅具有高熔点、高沸点、良好的绝缘性和化学稳定性，是很好的绝缘层和保护层。
然后用化学溶液，以湿法刻蚀的方式去除晶圆上的部分材料，以形成所需的电路图案。
最后是封装，将制作好的半导体零件封装在保护外壳中，并提供与外界的电连接口，就形成了基础电子元器件。
虽然整个工艺因为条件原因，有些粗糙，甚至缺少了离子注入和气相沉积等技术，让元器件的性能会差一些，但已经达到了应用级。