“双工件台切换，载入12英寸裸晶圆，执行对位校准。”苏云杉慢条斯理道。
机械结构在真空腔体内无声滑移，国产高精度双工件台以纳米级精度平稳位移，定位误差严格控制在±0.3nm，晶圆边缘标记点与机台对位基准瞬间完成毫秒级贴合，套刻预偏差归零。
外行看热闹，内行看门道。
半导体制造研究院院长、光刻机研发中心主任以及教授等团队成员，神色越发震惊。
他们的目光死死锁定主控屏幕，无人敢出声打扰半分。
懂行的人都清楚，这一步对位校准，是1nm制程光刻最核心、最考验技术的关键环节，分毫偏差都会导致整片晶圆报废。
苏云杉紧盯实时成像数据，沉声确认：“对位合格，启动单次曝光，剂量240mJ/cm??，聚焦阈值锁定0.8nm。”
下一秒，EUV光束精准击穿光刻胶表层，在晶圆基底上完成极致精微的电路图形复刻。
整个曝光过程无声无息，无任何肉眼可见光影，却在微观尺度完成了千亿级晶体管电路的精准刻画。
单次曝光结束，机台自动完成移片、对焦、二次校准，开启多重曝光叠加工艺，完美适配1nm制程的图形拼接需求。
三分钟后，首批测试晶圆曝光工序全部完成，设备自动卸载晶圆，送入后端在线检测工位。
缺陷检测机和线宽量测机瞬间启动扫描，海量微观成像数据快速刷新在大屏之上。
当最终检测结果跳出的那一刻，团队成员呼吸同时停滞。
大屏幕上清晰显示——
实测线宽：1.02nm
套刻精度：1.18nm
边缘粗糙度：≤0.45nm
微观缺陷数：0
轰！！！
团队瞬间炸了！！！
“神呐！所有核心参数全部达到甚至超越国际商用1nm制程标准！！”
“苏总研发的国产HighNAEUV光刻机竟然成功了！！！”
“OMG！太不可思议了吧！！谁能掐我一下！我不是在做梦吧？！！”
不是……
成功了？
安若素和安无恙两位门外汉相视一眼，对于不懂的人来说，连是否成功都无法分辨。