第833章 氮化硅和电子陷阱(1 / 3)

尹阳君 / 著

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有关系!

绝对有关系!

陆远江也是眉头紧锁,在想氮化硅在闪存上有啥用。

过往的经验告诉他,陈总绝对不会无的放矢,不会随便说一种元素的,这个氮化硅绝对有用。

就是一时间想不出来要应用在哪里,毕竟整个半导体工艺的工序太多了。

陈星在旁边也没敢打扰这二位,主要是他在这方面知道的实在不多……

突然,陆远江转过头和林先动对视了一眼,都从对方眼神中看到一种不可思议。

再看陈总现在,一脸的老婶在定,仿佛早知道自己能猜出来一样。

哎,陈总不愧是陈总啊。

一个元素就能指明绕过IBM和美光专利的路线。

“电子陷阱!”

“氮化硅能捕获电子!”

陆远江和林先动猛地一喊,把陈星吓了一跳,嗯?

这就有想法了?

“陈总,你的意思是说,IBM用的是导电浮栅来控制电子的移动,这也是他们的核心专利范围,所以我们利用氮化硅能捕获电子的特性,人为制造电子陷阱来控制,这样就完全绕开了他们的专利。”

“只需要在基础MOSFET、通用光刻、通用隧穿物理等行业通用基础专利进行小额授权就够了!”

“陈总,我服,我老陆服了。”

陆远江一边摇着头,一边看陈星那一脸淡定的样子,心里的佩服简直到了无可复加的地步。

林先动也是补充道:“常规工艺是电子在导体浮栅自由移动,单元间存在电容耦合干扰,美光拥有耦合抑制、浮栅电荷均衡全套方法专利,如果我们使用氮化硅,电子被绝缘介质离散陷阱锁住,无导体耦合,串扰天然更低,不需要浮栅专属补偿算法,就能规避大量工艺方法专利。”

“说不定我们能搞定这套工艺,未来还能卡住他们的脖子。”

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