凌霄H2的状态栏显示——流片已完成，测试中。
陆远江前天发来的汇报邮件里写得很详细，凌霄H2的流片样品已经从TSMC那边拿了回来，28nm工艺，四核心A9架构，GPU升级到了Mali-T628，主频目标1.8GHz。
这颗芯片是红星下半年旗舰机型的核心，如果测试顺利，今年第四季度就能搭载在Znote3上。
这颗芯片是红星自研处理器的第二代产品，也是凌霄系列真正意义上的换代之作。
H1虽然帮红星在自研芯片这条路上站稳了脚跟，但性能上和膏通的旗舰还有不小的差距，H2的目标就是把这个差距缩小。
另一个让陈星有点惊喜的是绝影。
这颗基带芯片的研发进度比他预想的快了不少。项目页面上显示，绝影的逻辑电路设计已经完成，正在进行后端物理设计，按照当前速度，最快八月份可以送去流片。
如果一切顺利，绝影赶上明年上半年的机型不是没可能。
陈星把邮件看完，又点开了华芯国际的产线改造进度报告。
45nm产线的改造比预期的要顺利一些。
闪存团队和华芯国际的工程师们磨合了大半年，前期的磨合期已经过去，现在进入了参数优化的冲刺阶段。
按照目前的进度，八月份第一轮试产的目标没有变化。
试产的第一批晶圆将用于验证工艺的稳定性和良率，不会直接用于商业产品。
但这一步走出去，意义重大。
这代表华夏本土的代工厂，第一次具备了闪存颗粒的量产能力。
虽然和tsmc和三星的32nm工艺相比还有差距，但只要完成了0-1的阶段，1-10的阶段陈星对国内是非常有信心的。
半导体，化学材料，芯片，闪存产线——每一条线都在往前推，每一条线都还差得远。
但只要开始起步，剩下的就是时间问题。
与此同时，德国，路德维希港。
巴斯夫全球总部。