电子管起码都需要100V以上的高压电源，以我参与的107为例，它要用到的功耗高达数千瓦。
另外电子管的底层运行逻辑与其温度密切相关。
电子管的物理基础来源于理查森-杜什曼方程，热电子发射电流密度J与温度T的关系为：J=AT2e/kTJ。其底层运行逻辑依赖于热电子发射，通过加热阴极使电子获得足够能量逸出表面。
也就是说温度越高，电子发射越多，电流越大。若温度不足，发射电子量减少，电子管无法正常工作。
所以电子管需要预热，从启动到等待灯丝将阴极加热到工作温度，起码要等数秒钟时间。
所以它的元器件应该不是电子管。”
夏培肃说完后，钱院长内心感慨，专业人士就是专业人士，只是看了一眼就知道这不是电子管，还是得把华国最专业的一批人集中在一起，才有可能研究出个所以然。
他内心则又叹了一口气，如果有的选，他还真不想带大家离开燕京，带到这鸟不拉屎的地方来。
在座各位半导体专家里，不乏是因为他回国而跟着回国的，像吴锡九就属于这类。
不仅自己要来这，妻子和子女都要跟着来。
钱院长内心想着自己能做的也就给他们争取好点的待遇了。
夏培肃接着说：“不过也不一定。
它作为远超我想象的造物。
电子管也不是不可能。
毕竟电子管也不仅仅只有热电子发射这一种原理，还有场致发射和光电发射，FieldEmission和Photoemission。
前者是是指在强电场作用下，电子通过量子隧穿效应从材料表面逸出，无需加热阴极至高温。其理论基础由福勒·诺德海姆在20年代的时候提出，主要依靠的是电子在高电场下的隧穿行为。
这个对温度没要求，但当前我们的理解，用到场致发射是需要超高电压的，起码是数千伏，甚至是数十千伏在尖端阴极产生强电场，使电子隧穿发射。
和这个情况也不符。
另外场致发射电子流难以像热电子管的栅极那样精确调控。
也不太像。”
别说什么华国科学家在那个时间点不知道场致发射。
X光就是基于场致发射原理研发出来的，1961年冷阴极X射线管已经在医学和工业中实用化了，1958年华国科学院物理所就开始研究X射线管了。
其实在早年间，华国在很多前沿技术领域都有跟踪，甚至是追赶。
夏培肃接着说：“另外一种是光电发射，光电发射也就是光子激发材料表面电子，使其克服功函数逸出。